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NRV2010T2R2MGF中文资料

NRV2010T2R2MGF图片

NRV2010T2R2MGF外观图

  • 大小：1225KB
  • 厂家：
  • 描述：2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 175 mOhm Nonstandard
  • 现有数量：2,744现货
  • 价格：1 : ￥1.91000剪切带（CT）2,500 : ￥0.71457卷带（TR）
  • 系列：NR, V Type
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：不适用于新设计
  • 类型：鼓芯，绕线式
  • 材料 - 磁芯：铁氧体
  • 电感：2.2 μH
  • 容差：±20%
  • 额定电流（安培）：1.1 A
  • 电流 - 饱和 （Isat）：1.1A
  • 屏蔽：屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)：175 毫欧
  • 不同频率时 Q 值：-
  • 频率 - 自谐振：-
  • 等级：AEC-Q200
  • 工作温度：-25°C ~ 120°C
  • 电感频率 - 测试：100 kHz
  • 特性：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：非标准
  • 供应商器件封装：-
  • 大小 / 尺寸：0.079" 长 x 0.079" 宽（2.00mm x 2.00mm）
  • 高度 - 安装（最大值）：0.039"（1.00mm）

NRV2010T2R2MGF供应商

更新时间:2023-01-12 00:19:55
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